国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种多站式工艺腔及半导体器件的加工设备”的专利，公开号CN121428521A，申请日期为2025年11月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种多站式工艺腔及半导体器件的加工设备。多站式工艺腔包括：多个处理站，绕所述多站式工艺腔的轴向呈环形布置；多个抽气口，分别设于各所述处理站之间，以分别连通其相邻的两个所述处理站；以及真空机构，连通各所述抽气口，以经由各所述抽气口，分别从其相邻的两个所述处理站抽气。通过采用上述多站式工艺腔，本发明能够通过将多个处理站配置成环形PG电子官方平台入口布置，并使每一抽气支管的第二端分别连通相邻的两个处理站，在不改变管路构造的前提下，实现对各处理站的多侧抽气，从而极大地提升抽气均匀性，保证薄膜沉积的均匀性。

　　天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线条，此外企业还拥有行政许可16个。

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