全行业：本周上证指数下跌0.34%，深证成指上涨0.84%，沪深300指数下跌0.08%，申万电子版块上涨2.63%，电子行业在全行业中的涨跌幅排名为3/31。板块个股涨幅前五名分别为：富信科技、东田微、赛微电子、鸿日达、立昂微；跌幅前五名分别为：惠伦晶体、华映科技、*ST宇顺、睿能科技、泓禧科技。

　　电子行业：电子行业呈现涨跌分化格局，从申万二级行业数据看，子板块涨跌互现，部分板块内部结构差异显著。电子化学品板块本周上涨6.99%，为本周表现最强的方向；其下申万三级行业电子化学品Ⅲ同幅上涨6.99%，走势完全一致。元件板块上涨6.08%，表现同样亮眼；其下申万三级行业印制电路板上涨7.03%、被动元件上涨1.52%，细分领域涨幅分化。其他电子板块上涨5.60%；其下申万三级行业其他电子Ⅲ同幅上涨5.60%，走势同步。半导体板块本周上涨2.68%，内部结构差异较大；其下申万三级行业半导体材料上涨6.48%、半导体设备上涨4.60%、分立器件上涨4.17%，是板块核心拉动力量；数字芯片设计上涨1.42%、模拟芯片设计上涨1.28%、集成电路封测上涨0.96%，内部涨幅分化突出。消费电子板块整体上涨0.37%，延续温和态势；其下申万三级行业消费电子零部件及组装上涨0.44%，对板块形成支撑，品牌消费电子下跌0.41%。光学光电子板块本周下跌0.22%，表现相对弱势；其下申万三级行业光学元件上涨5.60%，而面板下跌3.02%、LED下跌0.48%，细分领域涨跌分化明显。总体来看，本周电子行业子板块涨跌分化显著，电子化学品、元件等领涨，半导体板块内部分化突出，光学光电子表现偏弱，行业呈现局部活跃但整体涨跌不一的态势。

　　SK海力士正与英伟达合作加快下一代Nand开发，目标到2027年实现存储性能的大幅提升。

　　投资建议：我们认为，在易失性存储（如DRAPG电子M）在HBM、HMC等领域突破后，随着AI推理及应用市场的持续扩张，尽管高带宽内存（HBM）解决了核心计算单元的数据吞吐问题，但在海量数据集的检索、向量数据库的索引遍历以及大模型的检查点恢复过程中，底层非易失性存储（NAND Flash）的读写性能，尤其是随机读取（IOPS）和能效比已成为制约系统整体效率的关键短板。下一步在非易失性存储（NAND、HDD）领域或将引起行业重视。从制造工艺上而言，3D结构的NAND存储工艺难点在于高深宽比的刻蚀工艺、薄膜沉积及未来可能成为主流的混合键合工艺，如长江存储在Xtacking2.0阶段采用键合工艺将层数由64层扩展至128层，也验证了键合工艺的重要性。对于半导体产业链而言，AI-NAND的发展意味着低温刻蚀、混合键合、薄膜沉积、CMP技术的设备商或将迎来NAND推动下的景气周期。由于工艺复杂度提升，设备在晶圆成本中的占比将持续上升。

　　相关公司：1、设备商：中微公司（刻蚀）、拓荆科技（薄膜沉积+混合键合）、盛美上海（湿法刻蚀+清洗+电镀）、精智达（测试）等；2、材料：鼎龙股份、安集科技、华特气体、南大光电等

　　风险提示：1、AI推理不及预期：推理侧是AI应用及AI商业化的核心要素，也是存储周期的核心需求因素，若AI推理市场不及预期，或导致周期下行；2、生产端不及预期：国内设备及材料厂商仍处于追赶阶段，渗透率仍有待提升；3、工艺良率不及预期：3D NAND及HBM封装技术仍不成熟，量产良率仍有待印证。